Автори: A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, E.F. Venger et al.

Редактори: A.E. Belyaev, R.V. Konakova

Анотація: В монографії розглянуті фізичні явища, які відбуваються в перехідному шарі метал–напівпровідник і при пробитті кремнієвих НВЧ діодів, а також методологія теорії катастроф при прогнозуванні відмов кремнієвих діодів і транзисторів. Викладені методи вимірювання параметрів омічних і бар’єрних контактів та механізми деградації кремнієвих НВЧ діодів, пов’язані з фізико-хімічними і структурними властивостями межі поділу метал–напівпровідник, якістю вихідного напівпровідникового матеріалу та досконалістюp-n переходу. Наведені експериментальні дані про методи генерування дефектів у НВЧ діодних структурах, зокрема про низькотемпературні та ненагрівні процеси гетерування, що поліпшують параметри напівпровідникових приладів.

ISBN 978-966-360-176-2

Серія: Українська наукова книга іноземними мовами

Тираж: 300